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Eingebettete gedünnte Silizium-Halbleiter in FR-4 Multilayer-Leiterplatten

Eingebettete gedünnte Silizium-Halbleiter in FR-4 Multilayer-Leiterplatten

Gegenstand dieser Arbeit ist es den Prozess der Einbettung von aktiven Halbleiterbauteilen in FR-4-Leiterplatten zu untersuchen. Um zu zeigen, dass deutlich höhere Integrationsdichten mit diesem Verfahren möglich und praktikabel sind, wird ein Vergleich mit anderen üblichen Techniken der Leiterplattenbestückung gemacht. Des weiteren werden Randbedingungen, wie etwa die Bestückungsgenauigkeit oder die Chipdicken, erfasst und gegebenenfalls nach Problemanalysen an eingebetteten Chips optimiert. Die Erstellung eines einfachen mathematischen Modells zur Berechnung des Anteils akzeptabler Durchkontaktierungen, zwischen der Leiterplatte und dem eingebetteten Chip, ermöglicht Voraussagen über Designregeln für Chip- und Leiterplattenhersteller.

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